一.51的存儲器從功能上來說可以分為程序存儲器和數據存儲器，至于到底能擴展多少存儲空間，要看你擴展的是哪一類存儲器。

訪問存儲空間時，需要用到兩個指針變量，為DPTR和PC。其中pc為程序計數器，指向下一條需要執(zhí)行的指令的地址，DPTR為數據指針寄存器，這兩個變量的長度都為16位，這是51單片機內部結構決定的，無法改變。所以這兩個指針的尋址能力都為64K。這樣看來，兩類存儲器的擴展能力都為64K。但是，如果你實際擴展過存儲器，你就可以發(fā)現程序存儲器的擴展能力并沒有64K!!!

這是為什么呢?

這得從51單片機的存儲空間的編址說起。這里僅作簡單說明，具體可以看教科書。簡單地說，內部程序存儲器和外部程序存儲器是一起編址的，它們分別占用64K地址的一部分，所以外部擴展時要減去內部的地址空間，當然小于64K啦。而數據存儲器是內外部分別編址，內外部數據存儲器用不同的指令進行訪問，所以不用擔心單片機會混淆內外部數據存儲器，所以外部數據存儲器擴展能力有64K

擴展閱讀：單片機存儲器的配置

二.MCS-51單片機擴展系統中,片外程序存儲器和片外數據存儲器共處同一個地址空間,為什么不會發(fā)生總線沖突?

硬件上，控制信號不一樣：片外程序存儲器工作，要PSEN信號有效;片外數據存儲器工作，要RD或WR信號有效;

軟件上，尋址不一樣，片外程序存儲器工作，要用MOVC，

片外數據存儲器工作，要用MOVX;

雖然說他們的地址都是0000H~FFFFH，不會發(fā)生沖突的

因為控制信號線的不同：

外擴的RAM芯片既能讀出又能寫入，所以通常都有讀寫控制引腳，記為OE和WE。外擴RAM的讀、寫控制引腳分別與MCS-51的RD和WR引腳相連。

外擴的EPROM在正常使用中只能讀出，不能寫入，故EPROM芯片沒有寫入控制引腳，只有讀出引腳，記為OE，該引腳與MCS-51單片機的PSEN相連

三.單片機中外接程序存儲器和數據存儲器公用16位地址線和8根數據線為什么不會起沖突

建議你閱讀一下單片機關于選通地址、傳遞數據方面的敘述。

下面我簡略的說一下大概過程，希望對你有所幫助。

第一，單片機采用三總線結構傳遞數據。地址總線、數據總線、控制總線。傳遞數據的過程是先尋址，再傳遞數據。即先送一個地址信息(由微處理器向總線寫一個地址信息)，由寄存器(也可能是程序存儲器，也可能是數據存儲器)根據這個地址，把微處理器要讀取的數據寫到總線上，微處理器再讀取這個數據。整個過程由控制總線控制。所以每次讀的數據是針對那個地址對應的寄存器操作的，不會發(fā)生混亂。寫數據時一樣，先尋址，再寫數據，數據就寫入剛才尋址時的地址對應的那個寄存器里去了。

第二、程序存儲器、數據存儲器有不同的選通信號，在一個指令周期里，是不同的時間選通的，所以不會混亂。

第三。選通的引腳不同。拿片外數據存儲器來說，是P3的第6和第7引腳做選通信號，程序存儲器是PSEN做選通信號，他們接在各自器件的選通引腳上，所以不會混亂。

第四，指令不同。拿匯編指令來說。MOV是程序存儲器傳遞數據用，MOVX是數據存儲器傳遞數據用(對片外而言)。

總之，記住三總線傳遞的方式，先尋址，再傳數，由控制總線控制，這個模式，你就容易理解這個了。

單片機的p2和p0分別傳遞地址的高八位和低八位。同時p0還傳遞數據。在時序信號的ALE高電平期間，鎖定地址信息。/PSEN是選通程序存儲器的。在/PSEN低電平期間是向程序存儲器傳遞程序代碼，/WR和/RD是選通數據存儲器的，即在/WR和/RD(p3的六腳和七腳)低電平期間把數據傳遞給數據寄存器。而/PSEN和/WR及/RD是在不同時間變?yōu)榈碗娖降�，沒有重疊的部分。也就是說，當/WR及/RD變成低電平時，/PSEN已經恢復高電平了，由P0口傳出的數據信息當然只會傳到數據存儲器里，因為程序存儲器已經不再處于選通狀態(tài)了!!從表面看，都是從p0口傳出的，但因為選通器件的時間不同而不會發(fā)生混亂。當然我說的是片外程序存儲器和數據存儲器的的情況，其實對片內也一樣，還是三總線的這種控制方式，使它們在不同的時間被選通，而不至于發(fā)生沖突。

看看單片機的一個電路圖。你會發(fā)現p0既跟74LS373連，又跟8155或8255或鍵盤或數模轉換器等等連。而8155或8255或鍵盤或數模轉換器等等對單片機而言是當做數據存儲器處理的。74LS373連的多半是程序存儲器。那么p0送出的信號不是兩者都接受了嗎?注意看ALE接74LS373的G接口，鎖存地址用，PSEN有時用有時不用。WR和RD接數據存儲器的選通接口。因為WR和RD跟ALE的信號在時間上沒有重疊部分，所以p0的信號不會被程序存儲器和數據存儲器同時收到。這是一個舉例說明，具體情況要具體分析。

四，51單片機，存儲器分為數據存儲器和程序儲存器，其地址空間、存取指令、和控制信號各有一套，

51是馮-諾依曼結構

哈弗結構說的是將程序存儲器和數據存儲器地址編碼分開，因而有兩種程序指令總線和數據指令總線。請注意這里說的是：地址編碼分開。取指令和取數據可以同時進行。

因為馮-諾依曼結構的數據線和指令線是分時復用的，在同一根線上，有時傳送的是數據有時是指令，所以它取指令和取數據不能同時進行。你看mov，movx，movc，的功能，它告訴cpu什么時候取數據什么時候取指令。注意：數據和指令的區(qū)別!

又一種說法哈佛結構和馮.諾依曼結構都是一種存儲器結構。哈佛結構是將指令存儲器和數據存儲器分開的一種存儲器結構;而馮.諾依曼結構將指令存儲器和數據存儲器合在一起的存儲器結構。

哈佛結構是為了高速數據處理而采用的，因為可以同時讀取指令和數據(分開存儲的)。大大提高了數據吞吐率。缺點是結構復雜。

通用微機指令和數據是混合存儲的，結構上簡單，成本低。假設是哈佛結構：你就得在電腦安裝兩塊硬盤，一塊裝程序，一塊裝數據，內存裝兩根，一根儲存指令，一根存儲數據……

是什么結構要看總線結構的。51單片機雖然數據指令存儲區(qū)是分開的，但總線是分時復用得，所以頂多算改進型的哈佛結構，呵呵。ARM9雖然是哈佛德，但是之前的版本也還是馮諾結構。早期的X86能迅速占有市場，一條很重要的原因，正是靠了馮諾依曼這種實現簡單，成本低的總線結構。樓上的兄弟有一點說的不確切，現在的處理器雖然外部總線上看是諾依曼結構的，但是由于內部CACHE的存在，因此實際上內部來看已經算是改進型哈佛結構的了。

這個問題21ic上討論翻了無數個帖子，沒有什么定論，見仁見智。

至于優(yōu)缺點，呵呵，樓上的兄弟說的就比較的明白了。哈佛結構就是復雜，對外圍設備的連接與處理要求高，十分不適合外圍存儲器的擴展。所以早期通用CPU難以采用這種結構。而單片機，由于內部集成了所需的存儲器，所以采用哈佛結構也未嘗不可�，F在的處理器，依托CACHE的存在，已經很好的將二者統一起來了。

很多入門的書上基本上都說：由運算器、控制器、存儲器、輸入設備、輸出設備組成的系統

都叫馮氏結構。

也有的說：“程序存儲器的數據線地址線”與“數據存儲器的數據線地址線”共用的話，就是馮氏結構，所以51是該結構。(我認為說得太絕對了)

我認為馮氏結構與哈佛結構的區(qū)別應該在存儲器的空間分別上，哈佛結構的數據區(qū)和代碼區(qū)是分開的，它們即使地址相同，但空間也是不同的，主要表現在數據不能夠當作代碼來運行。

口線復用，就將它認為成馮氏結構，我認為這樣不足取，應該是按照空間是否完全重合來辨別。比如PC機的代碼空間和數據空間是同一空間，所以是馮氏結構;51由于IO口不夠，但代碼空間和數據空間是分開的，所以還是哈佛結構。

另外，還有的把CISCRISC和地址是否復用，是哪種結構這3這都混到一起。我認為這三者都沒有必然的關系。只不過RISC因為精簡了指令集，沒有了執(zhí)行復雜功能的指令，為了提高性能，常采用哈佛結構，并且不復用地址線。